Công nghệ LLW DRAM mới của Samsung trên Galaxy S24 dùng cho AI

Samsung Semiconductor hôm nay đã giới thiệu “một loại DRAM đặc biệt” mà công ty cho biết là hoàn hảo cho các ứng dụng AI (trí tuệ nhân tạo) di động và chơi game. Nó được gọi là công nghệ LLW DRAM mới của Samsung , viết tắt của IO có độ trễ thấp.

Samsung lần đầu tiên thông báo rằng họ đang phát triển LLW DRAM tại Tech Day vào tháng 1 năm nay. Công ty cũng đã nói ngắn gọn về LLW tại Ngày Công nghệ Bộ nhớ vào tháng 10, nơi công ty giới thiệu các giải pháp HBM3E Shinebolt và LPDDR5X CAMM2.

Hôm nay Samsung đã nhắc nhở mọi người về chip LLW của mình bằng một video. Samsung Semiconductor đã yêu cầu X (trước đây là Twitter) chạy quảng cáo dài 44 giây bằng LLW DRAM.

Đánh giá qua video này, giải pháp LLW thường nằm ngay bên cạnh CPU trong SoC, điều này hợp lý khi đưa ra tuyên bố về “độ trễ thấp”. Nhưng điều thú vị là video gợi ý rằng chip LLW sẽ hoạt động song song với CPU chứ không thay thế hoàn toàn DRAM truyền thống.

Công nghệ LLW DRAM mới của Samsung sẽ xuất hiện trên Galaxy S24?

Không rõ chính xác khi nào LLW DRAM sẽ được sử dụng trong chipset của Samsung, nhưng dòng Galaxy S24 được cho là sẽ là những chiếc smartphone đầu tiên sử dụng công nghệ này. Samsung đã chuẩn bị các tính năng trí tuệ nhân tạo mới cho điện thoại thông minh cao cấp tiếp theo của mình, bao gồm AI Live Translate Call, công ty đã xác nhận sẽ ra mắt vào đầu năm tới.

Và Samsung được cho là sẽ giới thiệu S24 như một “điện thoại AI”. Cuối cùng, Galaxy S24 cũng có thể đóng vai trò là bệ phóng cho LLW DRAM.

Samsung dự kiến sẽ ra mắt chiếc smartphone cao cấp tiếp theo của mình vào ngày 17 tháng 1 tại San Jose. Chúng tôi sẽ cập nhật cho bạn khi có thêm thông tin chi tiết.

Đọc thêm: